U.S.H.BM EXPERT:A.A.カルカレートファスター・ファン・メモリ・ウォール・プロモーション

「メモリウォールはまだ存在し、さらに劣化する可能性がある」 HBMの設計の専門家であるRagu Sriramaneniは、Stanford University(スタンフォード大学、米国)で組織された半導体学術会議で、ホットチップス2026で23現地時間で発表しました。 メモリウォールは、操作を担当するチップの容量の急激な増加を指していますが、データの送信に責任のあるメモリは、パフォーマンスボトルネックに起因する動作速度に追いつくことはありません。 このボトルネックは、それを吸収するのではなく、人工知能の年齢後にさらに急性を増しました。 スリラマニエは、AIアクセラレータのパフォーマンスが2年ごとに約3倍増加していると述べていますが、データ供給を担当するHBM(高帯域幅メモリ)は、同じ期間に2回以上増加しました。 データ伝送チャネルが狭くても、動作能力が大きいチップが運ばれる場合でも、最終的な性能は経路の速度でバインドされます。 「コンピューティングユニットとメモリの境界線を遮断する」と予測し、新しいアーキテクチャ設計はメモリウォールを覆うためのパスとなります