SAMSUNGはYNGのWEIDAのための8つの床HBM4Eの開発です

韓国のメディアレポートによると、サムスン電子は、計画された12と16のプログラムよりも著しく低い8階建ての7世代の高帯域幅ストレージ(HBM4E)を開発するために、英国のバイダ(NVDA)と協力しています。 Weida が提案する速度の指定は 17-18 Gbps、最初の HBM4E 14.4 Gbps より高く約 20 です。 NVHBMに使用した製品です。