THREE-STAR ELECTRONIC EXPANSIONとYOUNG WEIDAR ACCELERATE V9、V10 FLASH LAYOUTとのNAND SUPPLYの協力

オン 21 ジュリー, サムスン電子は、NAND FLASHフィールドでYNG WEIDARとITSの協力を委託しています, DRMとリアカラーのビルディング, ハイバンドウォッスメモリ (HBM) そして、ケージのチップリレーションシップ. SAMSUNGは、V-NAND(V10)のTENTH GENERATIONをプロデュースし、WEIDA、V-NAND(V9)のNINTH GENERATIONを買収し、500-GRADE V-NAND(V11)のELEVENTH GENERATION OF 500-GRADE V-NAND(V11)のELEVENTH GENERATIONのデベロップメントを開発し、V-NAND(V9)のNAND(V11)のNAND(V11)のNAND(V11)のNAND(V11)のNANDのNAND(V11)のNAND)のNAND(V-NAND)のNAND(V-NAND)のNAND(V-NAND)のNAND(V-NAND)のNAND(V-NAND(V-NAND(V-NAND)のNAND(V-NAND)のNAND)のNAND)のNAND(V-NAND(V-NAND(V-NAND(V-NAND)のNAND)のNAND)のNAND)のNAND それはSAMSUNG CURRENTLYのKNOWNは1ヶ月あたりの100,000 V-NANDSを、V9プロダクトにディストリビュートされる約60の1つの中心の約1か月あたりのより多くのTHAN 100,000のV-NANDSを作り出すために容量を知っています。