传三星电子、SK海力士 2027 年第二季度全面量产并向英伟达出货 8Hi HBM4 内存

IT之家 10 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子、SK 海力士两家 DRAM 制造商计划在 2027 年第二季度实现八层堆叠（8Hi）HBM4 内存堆栈的全面量产，并向 NVIDIA（英伟达）出货。

三星电子、SK 海力士当前产出的 HBM4 内存主要为容量更大的 12Hi 版本。但这也意味着单一堆栈中包含更多 DRAM Die，同等带宽成本更高、堆栈更少，且堆叠更高也意味着良率下滑。

报道宣称，英伟达在 2026 年第三季度就 8Hi HBM 供应事宜同两大原厂进行了认真讨论。这一计划变更主要是因为英伟达考虑在 Rubin Ultra 和标准 Rubin 中应用 8Hi HBM4(E)，以优化整体供应。

IT之家注意到，英伟达已将 HGX Vera Rubin NVL8 和 HGX Rubin NVL8 的规格调整为系统合计 2TB HBM4，这应该对应着 8Hi 32GB 的 HBM4 堆栈。