复旦大学：室温单电子存储技术突破

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的研究团队在《科学》杂志上发表了重磅成果，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）环境下观测到单电子的非易失性存储行为。这一突破打破了“单电子存储”无法实现的传统认知，为AI时代的算力革命奠定了理论基础。团队计划在未来1到3年内实现产品落地，成立公司对接人工智能头部客户，引入战略合作伙伴，推动原始创新转化为新质生产力。